|
| MOQ: | 1개 세트 |
| 가격: | negotiable |
| 표준 포장: | PE BAG+ 판지 |
| 배달 기간: | 5-10 일 |
| 지불 방법: | T/T, L/C, Paypal |
| 공급 능력: | 1000sets/day |
비엘디씨 모터 운전자를 위한 JY13M 엔과 Ｐ 채널 40V MOSFET
일반 설명
JY13M은 엔이고 p 채널 논리 증가 모드 파워 필드 트랜지스터입니다
그것이 우수한 Ｒ DS(ON)와 낮은 게이트 요금을 제공할 수 있습니다. 보완적인 것
MOSFET은 에이취 브리지, 인버터와 다른 애플리케이션에서 사용될 수 있습니다.
특징
| 장치 | Ｖ BR(dss) | 맥스 Ｔ J=25oC (의) Ｒ DS | 패키지 |
| 엔-채널 | 40V | <30m>GS=10V,ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V,ID=8A | |||
| P-채널 | -40V | <45m>GS=-10V,ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V,ID=-8A |
● 저입력 캐패시턴스
● 고속 스위칭 속도
절대 최대 정격 (Ta=25oC 달리 언급되지 않으면)
| 매개 변수 | 기호 | n채널 | p 채널 | 유닛 | |
| 드레인 소스 전압 | VDS | 40 | -40 | Ｖ | |
| 게이트 소스 전압 | VDS | ±20 | ±20 | ||
| 연속적입니다 드레인전류 |
Ta=25oC | ID | 12 | -12 | A |
| Ta=100oC | 12 | -12 | |||
| 펄스용 드레인전류 | IDM | 30 | -30 | ||
| 최대 전력 산재 |
Ta=25oC | PD | 2 | Ｗ | |
| Ta=70oC | 1.3 | ||||
| 결합과 저장 온도 범위 |
TJ TSTG | -55 내지 150 | 오크 | ||
| 열 저항 주변에 대한 결합 |
RθJA | 10대 | 25 | oC/W | |
| 받침 | 60 | ||||
| 열 저항 경우에 대한 결합 |
RθJC | 5.5 | 5 | oC/W |
전기 특성 (Ta=25oC 달리 언급되지 않으면)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민 | Typ | 맥스 | 유닛 | |
| 정전기 | |||||||
| VGS(th) | 게이트 임계값 전압 |
VDS=VGS,ID=250uA | N-치 | 1.7 | 2.5 | 3.0 | Ｖ |
| VDS=VGS,ID=-250uA | P-치 | -1.7 | -2 | -3.0 | |||
| IGS | 게이지 리키다 경향 |
VDS=0V, VGS=±20V | N-치 | ±100 | nA | ||
| P-치 | ±100 | ||||||
| IDS | 제로 게이트 전압 드레인전류 |
VDS=40V, VGS=0V | N-치 | 1 | uA | ||
| VDS=-40V, VGS=0V | P-치 | -1 | |||||
| ID (계속) | 온-상태 배수 경향 |
VDS=5V, VGS=10V | N-치 | 30 | A | ||
| VDS=-5V, VGS=-10V | P-치 | -30 | |||||
| RDS (계속) | 드레인-소스 온-상태 저항 |
VGS=10V,ID=12A | N-치 | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS=-10V,ID=-12A | P-치 | 36 | 45 | ||||
| VGS=4.5V,ID=8A | N-치 | 31 | 40 | ||||
| VGS=-4.5V,ID=-8A | P-치 | 51 | 66 | ||||
| VSD | 다이오드 포워드 전압 |
IS=1.0A,VGS=0V | N-치 | 0.76 | 1.0 | Ｖ | |
| IS=-1.0A,VGS=0V | P-치 | -0.76 | -1.0 |
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비디오
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| MOQ: | 1개 세트 |
| 가격: | negotiable |
| 표준 포장: | PE BAG+ 판지 |
| 배달 기간: | 5-10 일 |
| 지불 방법: | T/T, L/C, Paypal |
| 공급 능력: | 1000sets/day |
비엘디씨 모터 운전자를 위한 JY13M 엔과 Ｐ 채널 40V MOSFET
일반 설명
JY13M은 엔이고 p 채널 논리 증가 모드 파워 필드 트랜지스터입니다
그것이 우수한 Ｒ DS(ON)와 낮은 게이트 요금을 제공할 수 있습니다. 보완적인 것
MOSFET은 에이취 브리지, 인버터와 다른 애플리케이션에서 사용될 수 있습니다.
특징
| 장치 | Ｖ BR(dss) | 맥스 Ｔ J=25oC (의) Ｒ DS | 패키지 |
| 엔-채널 | 40V | <30m>GS=10V,ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V,ID=8A | |||
| P-채널 | -40V | <45m>GS=-10V,ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V,ID=-8A |
● 저입력 캐패시턴스
● 고속 스위칭 속도
절대 최대 정격 (Ta=25oC 달리 언급되지 않으면)
| 매개 변수 | 기호 | n채널 | p 채널 | 유닛 | |
| 드레인 소스 전압 | VDS | 40 | -40 | Ｖ | |
| 게이트 소스 전압 | VDS | ±20 | ±20 | ||
| 연속적입니다 드레인전류 |
Ta=25oC | ID | 12 | -12 | A |
| Ta=100oC | 12 | -12 | |||
| 펄스용 드레인전류 | IDM | 30 | -30 | ||
| 최대 전력 산재 |
Ta=25oC | PD | 2 | Ｗ | |
| Ta=70oC | 1.3 | ||||
| 결합과 저장 온도 범위 |
TJ TSTG | -55 내지 150 | 오크 | ||
| 열 저항 주변에 대한 결합 |
RθJA | 10대 | 25 | oC/W | |
| 받침 | 60 | ||||
| 열 저항 경우에 대한 결합 |
RθJC | 5.5 | 5 | oC/W |
전기 특성 (Ta=25oC 달리 언급되지 않으면)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민 | Typ | 맥스 | 유닛 | |
| 정전기 | |||||||
| VGS(th) | 게이트 임계값 전압 |
VDS=VGS,ID=250uA | N-치 | 1.7 | 2.5 | 3.0 | Ｖ |
| VDS=VGS,ID=-250uA | P-치 | -1.7 | -2 | -3.0 | |||
| IGS | 게이지 리키다 경향 |
VDS=0V, VGS=±20V | N-치 | ±100 | nA | ||
| P-치 | ±100 | ||||||
| IDS | 제로 게이트 전압 드레인전류 |
VDS=40V, VGS=0V | N-치 | 1 | uA | ||
| VDS=-40V, VGS=0V | P-치 | -1 | |||||
| ID (계속) | 온-상태 배수 경향 |
VDS=5V, VGS=10V | N-치 | 30 | A | ||
| VDS=-5V, VGS=-10V | P-치 | -30 | |||||
| RDS (계속) | 드레인-소스 온-상태 저항 |
VGS=10V,ID=12A | N-치 | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS=-10V,ID=-12A | P-치 | 36 | 45 | ||||
| VGS=4.5V,ID=8A | N-치 | 31 | 40 | ||||
| VGS=-4.5V,ID=-8A | P-치 | 51 | 66 | ||||
| VSD | 다이오드 포워드 전압 |
IS=1.0A,VGS=0V | N-치 | 0.76 | 1.0 | Ｖ | |
| IS=-1.0A,VGS=0V | P-치 | -0.76 | -1.0 |
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