인버터 시스템을 위한 JY11M n채널 증가 모드 파워 모스펫 100V/110A

JY11M

n채널 증가 모드 파워 모스펫

진보적 트렌치 처리 기법을 통합시킴으로써, 동시에 온 저항을 최소화하고 높은 반복성 쇄도 등급을 자랑하면서, JY11M은 주목할 만한 셀밀도를 이룹니다. 이러한 특성의 수렴은 다른 사용 예의 다양한 범위에 대해서 뿐만 아니라, 전력스위칭 적용을 위해 이 디자인을 예외적으로 효율적이고 신뢰할 수 있게 합니다. 더 많은 세부사항이 여기를 클릭하세요 하세요.

일반 설명

JY11M은 진보적 트렌치 처리 기법을 통합시키는 최첨단 반도체 디바이스입니다. 효과적으로 온 저항을 감소시키고 높은 반복성 쇄도 평가를 얻으면서, 이 혁신적 설계는 주목할 만한 셀밀도를 달성합니다. 이러한 탁월한 특징은 다른 사용 예의 다양한 범위와 더불어, 전력스위칭 적용을 위해 JY11M을 예외적으로 효율적이고 믿을 만하게 합니다.

110A의 100V의 전압 정격과 전류 등급과 함께, JY11M은 우수한 성능을 제공합니다. 그것은 낮은 온 저항 (RDS(ON))를 자랑합니다 10V의 게이트-소스 전압 (VGS)에 있는 6.5mΩ의 효율적 전력 스위칭 동작을 보증하기. 또한 빠르고 효율적 스위칭 동작을 가능하게 하면서, 장치는 고속 스위칭과 반대 몸 회수를 특징으로 합니다.

게다가, 완전히 극단적인 조건 하에 믿을 수 있는 오퍼레이션을 보증하면서, JY11M은 사태 전압과 경향의 관점에서 묘사됩니다. 기기의 전체 신뢰도와 수명을 강화하면서, 그것의 우수한 패키지 설계는 유효 열 분해를 용이하게 합니다.

개요에, JY11M은 높은 셀밀도와 최소화된 온 저항과 높은 반복성 쇄도 등급을 결합시키는 첨단 반도체입니다. 이러한 품질은 강력한 성능이 요구되는 다양한 다른 사용 예에 대해서 뿐만 아니라, 전력스위칭 적용을 위한 예외적으로 효율적이고 신뢰할 수 있는 선택로 만듭니다.

특징

● 100V/110A, =6.5mΩ@VGS=10V (의) RDS
● 고속 스위칭과 반대 시신 복구
● 완전히 특징 사태 전압과 경향
좋은 방열을 위한 ● 우수한 패키지

애플리케이션
 

● 교환 응용
열심히 교환된 ●와 초고주파 회로
인버터 시스템을 위한 ● 전원관리

핀 설명

To-220-3 패키지 아웃라인

그림