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JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널

MOQ: 5 PC
가격: negotiable
표준 포장: 체육 가방 + 판지
배달 기간: 5-10days
지불 방법: L/C (신용장), 전신환
공급 능력: 달 당 100000 PCS
자세한 정보
원래 장소
중국
브랜드 이름
JUYI
모델 번호
JY12M
브랜드:
JUYI
모델:
JY12M
강조하다:

30V 비엘디씨 모터 구동기 집적회로

,

JY12M

,

엔과 p 채널 BLDC IC

제품 설명

JY12M 엔과 P는 인버터 애플리케이션을 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널

 

일반 설명

JY12M은 양쪽 엔과 p 채널 논리 증가 모드에서 설계된 일종의 파워 필드 트랜지스터입니다. 이러한 트랜지스터는 우수한 성능 특성을 가능하게 하는 높은 셀밀도 이중 확산 금속 산화물 반도체 트렌치 기술을 사용하여 제조됩니다. 제조 기법의 고밀도 과정은 개선 효율로 이어지면서, 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 최적화됩니다.

이러한 파워 트랜지스터는 휴대폰과 노트북 컴퓨터와 다른 배터리로 움직이는 회로에 특히 전원관리와 같은 저전압 응용에 매우 적절합니다. 그들은 스위칭 고전위측과 최소 전력 손실이 결정적 요구 사항인 상황에서 뛰어납니다. 덧붙여, 일렉트로닉 시스템 사 안으로 소형이고 공간 효율적 통합을 고려하면서, JY12M은 초소형 개요 표면 실장 패키지에서 설계됩니다.

개요에서, JY12M 파워 필드 트랜지스터는 감소된 온-상태 저항의 결과를 초래한 높은 셀밀도 이중 확산 금속 산화물 반도체 트렌치 기술을 활용합니다. 그들은 특히 효율적 고전위측 스위칭과 최소 전력 손실이 필수적인 시나리오에서, 대단히 저전압 응용에 적합합니다. 소형 표면 실장 패키지는 더욱 그들의 다기능성과 통합 능력을 강화합니다.

데이터 시트 : JY12M.pdf

 

특징

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 0

● 저입력 캐패시턴스

● 고속 스위칭 속도

 

애플리케이션

 

● 전원관리

● DC / dc 컨버터

● 직류 전동기는 제어됩니다

● LCD 텔레비전 & 모니터 디스플레이 인버터

● CCFL 인버터

 

핀 형상

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 1

SOP-9 패키지 아웃라인

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 2

그림

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 3JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 4JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 5

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MOQ: 5 PC
가격: negotiable
표준 포장: 체육 가방 + 판지
배달 기간: 5-10days
지불 방법: L/C (신용장), 전신환
공급 능력: 달 당 100000 PCS
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모델 번호
JY12M
브랜드:
JUYI
모델:
JY12M
최소 주문 수량:
5 PC
가격:
negotiable
포장 세부 사항:
체육 가방 + 판지
배달 시간:
5-10days
지불 조건:
L/C (신용장), 전신환
공급 능력:
달 당 100000 PCS
강조하다

30V 비엘디씨 모터 구동기 집적회로

,

JY12M

,

엔과 p 채널 BLDC IC

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JY12M 엔과 P는 인버터 애플리케이션을 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널

 

일반 설명

JY12M은 양쪽 엔과 p 채널 논리 증가 모드에서 설계된 일종의 파워 필드 트랜지스터입니다. 이러한 트랜지스터는 우수한 성능 특성을 가능하게 하는 높은 셀밀도 이중 확산 금속 산화물 반도체 트렌치 기술을 사용하여 제조됩니다. 제조 기법의 고밀도 과정은 개선 효율로 이어지면서, 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 최적화됩니다.

이러한 파워 트랜지스터는 휴대폰과 노트북 컴퓨터와 다른 배터리로 움직이는 회로에 특히 전원관리와 같은 저전압 응용에 매우 적절합니다. 그들은 스위칭 고전위측과 최소 전력 손실이 결정적 요구 사항인 상황에서 뛰어납니다. 덧붙여, 일렉트로닉 시스템 사 안으로 소형이고 공간 효율적 통합을 고려하면서, JY12M은 초소형 개요 표면 실장 패키지에서 설계됩니다.

개요에서, JY12M 파워 필드 트랜지스터는 감소된 온-상태 저항의 결과를 초래한 높은 셀밀도 이중 확산 금속 산화물 반도체 트렌치 기술을 활용합니다. 그들은 특히 효율적 고전위측 스위칭과 최소 전력 손실이 필수적인 시나리오에서, 대단히 저전압 응용에 적합합니다. 소형 표면 실장 패키지는 더욱 그들의 다기능성과 통합 능력을 강화합니다.

데이터 시트 : JY12M.pdf

 

특징

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 0

● 저입력 캐패시턴스

● 고속 스위칭 속도

 

애플리케이션

 

● 전원관리

● DC / dc 컨버터

● 직류 전동기는 제어됩니다

● LCD 텔레비전 & 모니터 디스플레이 인버터

● CCFL 인버터

 

핀 형상

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 1

SOP-9 패키지 아웃라인

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 2

그림

JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 3JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 4JY12M 엔과 P는 인버터를 위한 고속 스위칭 속도와 30V MOSFET을 체널 5

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