|
| MOQ: | 1개 세트 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 표준 포장: | PE BAG+ 판지 |
| 배달 기간: | 5-10 일 |
| 지불 방법: | T/T, L/C, Paypal |
| 공급 능력: | 1000sets/day |
JY21L 높고 낮은 측면 드라이버, 고전압, 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자는 p형 기판 P-에피 과정에 근거했습니다.
일반 설명
제품은 기반으로 한 고전압, 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자들입니다
p형 기판 P-에피 절차. 떠있는 채널 드라이버는 2 엔-채널을 운전하는데 사용될 수 있습니다
독립적으로 어느 것이 작동하는지 150V에 어느 것을 올린 파워 모스펫 또는 IGBT. 논리 입력은 있습니다
3.3V 논리의 아래의, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력으로 적합합니다. 출력
운전자들은 최소 운전자들 적십자를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다
전도성. 전달 지연은 고주파에서 사용을 단순화하기 위해 일치됩니다
애플리케이션.
특징
적합한 ● 3.3V 논리
+150V에 완전히 사용가능한 ●
● 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
● 게이트 드라이브 공급은 5.5V에서 20V의 범위입니다
● 출력원 /는 전기 성능 450mA/850mA를 가라앉힙니다
● 독립적 논리 입력이 모든 토폴로지를 수용합니다
● -5V 부정적 Vs 능력
양쪽 채널을 위한 ● 조화된 전달 지연
애플리케이션
● 파워 모스펫 또는 IGBT 운전자
작은 ●와 중간-전력 모터 구동장치
핀 설명
| 핀 번호 | 핀 네임 | 핀의기능 |
| 1 | Ｖ CC | 낮은 쪽과 주 전원 공급 |
| 2 | 힌 | 높은 쪽 게이트 드라이버 출력(호)를 위한 논리 입력 |
| 3 | LIN | 낮은 쪽 게이트 드라이버 출력(LO)를 위한 논리 입력 |
| 4 | COM | 땅 |
| 5 | LO | LIN과 동조하여, 낮은 사이드 게이트 출력 드라이브 |
| 6 | Ｖ Ｓ | 높은 쪽 플로우팅 공급 수익 또는 띄우기 수익 |
| 7 | 호 | 힌과 동조하여, 높은 사이드 게이트 출력 드라이브 |
| 8 | Ｖ 비 | 높은 쪽 플로우팅 공급 |
절대 최대 정격
| 기호 | 정의 | 민. | 맥스. | 유닛 |
| Ｖ 비 | 높은 쪽 플로우팅 공급 | -0.3 | 150 | Ｖ |
| Ｖ Ｓ | 높은 쪽 플로우팅 공급 수익 | Ｖ B-20 | Ｖ B+0.3 | |
| Ｖ 호 | 높은 사이드 게이트 출력 드라이브 | Ｖ S-0.3 | Ｖ B+0.3 | |
| Ｖ CC | 낮은 쪽과 주 전원 공급 | -0.3 | 25 | |
| Ｖ LO | 낮은 사이드 게이트 출력 드라이브 | -0.3 | Ｖ CC+0.3 | |
| Ｖ에 | HIN&LIN의 논리 입력 | -0.3 | Ｖ CC+0.3 | |
| ESD | HBM은 모형을 만듭니다 | 2500 | Ｖ | |
| 기계모델 | 200 | Ｖ | ||
| Ｐ Ｄ | 패키지 전력 소모 @T A≤25oC | ― | 0.63 | Ｗ |
| R번째 JA | 접합부 주위 간열 저항 | ― | 200 | oC/W |
| Ｔ Ｊ | 접합 온도 | ― | 150 | 오크 |
| Ｔ Ｓ | 저장 온도 | -55 | 150 | |
| Ｔ Ｌ | 리드온도 | ― | 300 |
기록 : 이러한 평가를 초과하는 것 장치를 손상시킬 수 있습니다
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비디오
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| MOQ: | 1개 세트 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 표준 포장: | PE BAG+ 판지 |
| 배달 기간: | 5-10 일 |
| 지불 방법: | T/T, L/C, Paypal |
| 공급 능력: | 1000sets/day |
JY21L 높고 낮은 측면 드라이버, 고전압, 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자는 p형 기판 P-에피 과정에 근거했습니다.
일반 설명
제품은 기반으로 한 고전압, 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자들입니다
p형 기판 P-에피 절차. 떠있는 채널 드라이버는 2 엔-채널을 운전하는데 사용될 수 있습니다
독립적으로 어느 것이 작동하는지 150V에 어느 것을 올린 파워 모스펫 또는 IGBT. 논리 입력은 있습니다
3.3V 논리의 아래의, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력으로 적합합니다. 출력
운전자들은 최소 운전자들 적십자를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다
전도성. 전달 지연은 고주파에서 사용을 단순화하기 위해 일치됩니다
애플리케이션.
특징
적합한 ● 3.3V 논리
+150V에 완전히 사용가능한 ●
● 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
● 게이트 드라이브 공급은 5.5V에서 20V의 범위입니다
● 출력원 /는 전기 성능 450mA/850mA를 가라앉힙니다
● 독립적 논리 입력이 모든 토폴로지를 수용합니다
● -5V 부정적 Vs 능력
양쪽 채널을 위한 ● 조화된 전달 지연
애플리케이션
● 파워 모스펫 또는 IGBT 운전자
작은 ●와 중간-전력 모터 구동장치
핀 설명
| 핀 번호 | 핀 네임 | 핀의기능 |
| 1 | Ｖ CC | 낮은 쪽과 주 전원 공급 |
| 2 | 힌 | 높은 쪽 게이트 드라이버 출력(호)를 위한 논리 입력 |
| 3 | LIN | 낮은 쪽 게이트 드라이버 출력(LO)를 위한 논리 입력 |
| 4 | COM | 땅 |
| 5 | LO | LIN과 동조하여, 낮은 사이드 게이트 출력 드라이브 |
| 6 | Ｖ Ｓ | 높은 쪽 플로우팅 공급 수익 또는 띄우기 수익 |
| 7 | 호 | 힌과 동조하여, 높은 사이드 게이트 출력 드라이브 |
| 8 | Ｖ 비 | 높은 쪽 플로우팅 공급 |
절대 최대 정격
| 기호 | 정의 | 민. | 맥스. | 유닛 |
| Ｖ 비 | 높은 쪽 플로우팅 공급 | -0.3 | 150 | Ｖ |
| Ｖ Ｓ | 높은 쪽 플로우팅 공급 수익 | Ｖ B-20 | Ｖ B+0.3 | |
| Ｖ 호 | 높은 사이드 게이트 출력 드라이브 | Ｖ S-0.3 | Ｖ B+0.3 | |
| Ｖ CC | 낮은 쪽과 주 전원 공급 | -0.3 | 25 | |
| Ｖ LO | 낮은 사이드 게이트 출력 드라이브 | -0.3 | Ｖ CC+0.3 | |
| Ｖ에 | HIN&LIN의 논리 입력 | -0.3 | Ｖ CC+0.3 | |
| ESD | HBM은 모형을 만듭니다 | 2500 | Ｖ | |
| 기계모델 | 200 | Ｖ | ||
| Ｐ Ｄ | 패키지 전력 소모 @T A≤25oC | ― | 0.63 | Ｗ |
| R번째 JA | 접합부 주위 간열 저항 | ― | 200 | oC/W |
| Ｔ Ｊ | 접합 온도 | ― | 150 | 오크 |
| Ｔ Ｓ | 저장 온도 | -55 | 150 | |
| Ｔ Ｌ | 리드온도 | ― | 300 |
기록 : 이러한 평가를 초과하는 것 장치를 손상시킬 수 있습니다
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